光学系统帕邢 - 龙格架发
光栅焦距750mm
刻线2400 条 /mm
谱线范围170-500nm
一级色散率0.55nm/mm
二级色散率0.275nm/mm
分辨率优于 0.01nm
双光室技术
双光室技术将光谱仪拆分成两个光学系统，一个大光室，用来分析不需要氩气保护的可见光波段；一个小光室，用于分析需要氩气保护的紫外光波段。氩气用量很少，而且很快可以建立高纯氩气环境，另外氩气通过光室之后还可以循环到激发环节进行再利用，这样就解决了氩气浪费的问题。
此外，分成双光室之后，可以单对分析紫外的光学系统进行优化，提高光栅刻线数，进而提高分辨率，这样做对C、P、S等难分析的非金属元素的分析带来非常大的好处。当然，双光室技术也存在缺点，对于厂家而言，两套光学系统会导致成本升高，直读光谱仪价格也会上升。
直读光谱仪在分析过程中由于各种因素的影响产生误差是在所难免的，比如标准样品和分析样品成分不均匀、组织状况不一致、光谱性能不稳定、样品表面处理不好、氩气纯度不够等一个因素出现问题，就会影响到光电光谱分析误差。了解其产生误差的原因，采取有效的措施进行消除或避免误差，提高直读光谱仪结果的准确性，是一项十分重要的研究课题。
干扰效应也称基体效应，又称共存元素、*三元素或伴随物效应，指的是在样品中除了分析物外所有其他成分的影响，在光谱分析中能引起谱线的强度变化，导致分析结果产生一些误差，这种干扰效应是光谱分析中需要高度重视的一个问题。
光电光谱分析选用的分析线，必需符合下列要求。
直读光谱分析时，一般都采用内标法。因内标法进行分析时常采用多条分析线和一条内标线组成，常用试料中的基体元素为内标元素。组成的线对要求均称，就是当激发光源有波动时，两条线对的谱线强度虽有变化，但强度比或相对强度能保持不变。
如R表示强度比即 R=I1/I0
I1为分析线的强度，Io为内标线强度，表明I1和Io同时变，而R则不受影响。R与含量C之间有线性关系。
在光电直读光谱分析时，有很多分析通道，要安装许多内标通道有困难，因此采用一个内标线。但有人认为再要提高光电光谱分析的准确度还得采用不同的内标线，这还有待于光电转换元件的小型化来解决。
光电法时，有时还用内标线来控制曝光量，称为自动曝光，也就是样品在曝光时，分析线和内标分别向各自积分电容充电，当内标线的积分电容器充电达到某一预定的电压时，自动截止曝光。此时分析线的积分电容器充电达到的电压即代表分析线的强度I，并且亦即代表分析线的强度比R(因为R=I1/Io，而此时Io保持常数)这个强度I或强度比R就由测光读数所表示。
现在一般采用计时曝光法较为普遍。
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